Código QR

Halide perovskite memristors for optoelectronic memory and computing applications

Abstract Halide perovskites are considered as promising memristive materials for next‐generation optoelectronic devices. This review concisely summarizes the recent development of halide perovskite memristors and highlights their advancements in optoelectronic applications: light‐induced low power s...

ver descrição completa

Na minha lista:
Detalhes bibliográficos
Principais autores: Xiaohan Zhang, Yue Wang, Xiaoning Zhao, Zhongqiang Wang, Xuanyu Shan, Haiyang Xu, Yichun Liu
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: Wiley 2024-12-01
Colecção:Information & Functional Materials
Assuntos:
Acesso em linha:https://doi.org/10.1002/ifm2.23
Tags: Adicionar Tag
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!