Random Telegraph Noise Degradation Caused by Hot Carrier Injection in a 0.8 μm-Pitch 8.3Mpixel Stacked CMOS Image Sensor

In this work, the degradation of the random telegraph noise (RTN) and the threshold voltage (<inline-formula><math xmlns="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><semantics><mrow><msub><mi>V</mi><mi>t</mi></msub></mrow></semantics></math></inline-formula>) shift of an 8.3Mpixel stacked...

Täydet tiedot

Bibliografiset tiedot

Päätekijät:	Calvin Yi-Ping Chao, Thomas Meng-Hsiu Wu, Shang-Fu Yeh, Chih-Lin Lee, Honyih Tu, Joey Chiao-Yi Huang, Chin-Hao Chang
Aineistotyyppi:	Artigo
Kieli:	Inglês
Julkaistu:	MDPI AG 2023-09-01
Sarja:	Sensors
Aiheet:	CMOS image sensor (CIS) random telegraph signal (RTS) random telegraph noise (RTN) MOSFET Channel RTN (MC-RTN) flicker noise 1/f noise
Linkit:	https://www.mdpi.com/1424-8220/23/18/7959
Tagit:	Lisää tagi Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!