Código QR (código de barras bidimensional)

Photosensitive AlGaAs / GaAs Structures Grown by Molecular Beam Epitaxy

AlGaAs / GaAs photosensitive structures were grown by molecular beam epitaxy and photodetector devices were fabricated. The structures were characterized by reflection high-energy electron diffraction (RHEED), reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) and atomic force microscopy (AFM). Spectral char...

תיאור מלא

שמור ב:
Principais autores: M.A. Bazalevsky, G.I. Koltsov, S.I. Didenko, S.Yu. Yurchuk, S.A. Legotin, O.I. Rabinovich, V.N. Murashev, I.P. Kazakov
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: Sumy State University 2014-07-01
סדרה:Журнал нано- та електронної фізики
נושאים:
Molecular beam epitaxy
AlGaAs / GaAs
Photodetector
Ultraviolet
Scintillato
גישה מקוונת:http://jnep.sumdu.edu.ua/download/numbers/2014/3/articles/jnep_2014_V6_03019.pdf
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים