Towards the Growth of Hexagonal Boron Nitride on Ge(001)/Si Substrates by Chemical Vapor Deposition
The growth of hexagonal boron nitride (hBN) on epitaxial Ge(001)/Si substrates via high-vacuum chemical vapor deposition from borazine is investigated for the first time in a systematic manner. The influences of the process pressure and growth temperature in the range of 10<sup>−7</sup>–10<sup>−3</s...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
MDPI AG
2022-09-01
|
| মালা: | Nanomaterials |
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://www.mdpi.com/2079-4991/12/19/3260 |
| ট্যাগগুলো: |
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|