Temperature Gradient ZnO Deposited via ALD for High-Performance Transistor Applications
This work reports an alternative atomic layer deposition (ALD) method to fabricate ZnO thin-film transistors (TFTs). The ZnO film is deposited with temperature naturally-cooling process from 200 to 100°C, called a “temperature gradient ZnO (TG-ZnO)”). After optimized annealing t...
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| Principais autores: | , , , , , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
IEEE
2020-01-01
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| coleção: | IEEE Journal of the Electron Devices Society |
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://ieeexplore.ieee.org/document/9162063/ |
| Tags: |
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