kod QR

Effect of different well growth rates on the luminescence characteristics of InGaN/GaN green quantum well

Four InGaN/GaN multi-quantum well (MQW) samples with different InGaN quantum well growth rates grow via metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) system. The relationship between the growth rate and luminescence characteristics of multiple quantum wells is studied by analyzing the temperature-...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Główni autorzy: Yuntao Zhao, Guanghui Li, Shuai Zhang, Linkai Yi, Haoran Qi, Feng Liang, Jing Yang, Mei Zhou, Huixing Shen, Degang Zhao
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: IOP Publishing 2021-01-01
Seria:Materials Research Express
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:https://doi.org/10.1088/2053-1591/abf286
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!