Diamond dislocations analysis by X-ray topography
The dislocation identification method using X-ray topography by reflection mode geometry was applied to characterize IIa, Ib and highly B doped high pressure high temperature (HPHT) grown crystals. In both IIa and Ib crystals, dislocations are found to propagate in the <111> grown direction, with do...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
Taylor & Francis Group
2022-12-01
|
| মালা: | Functional Diamond |
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | http://dx.doi.org/10.1080/26941112.2022.2149279 |
| ট্যাগগুলো: |
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|