Моделювання впливу конфігурації джерела GaN на термоелектричні параметри апарата високого тиску в процесі перекристалізації його із системи Fe–Ga–N
Для вирішення актуальної проблеми отримання полікристалів нітриду галію пропонується використовувати апарат високого тиску тороїдального типу, для якого розроблена ростова комірка для перекристалізації GaN із розчину-розплаву Fe–Ga–N температурою метод градієнта. Метою роботи є дослідження тепловог...
Na minha lista:
| Principais autores: | , , |
|---|---|
| Format: | Artigo |
| Sprog: | Inglês |
| Udgivet: |
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2025-03-01
|
| Serier: | Mechanics and Advanced Technologies |
| Fag: | |
| Online adgang: | https://journal.mmi.kpi.ua/article/view/322233 |
| Tags: |
Ingen Tags, Vær først til at tagge denne postø!
|