Моделювання впливу конфігурації джерела GaN на термоелектричні параметри апарата високого тиску в процесі перекристалізації його із системи Fe–Ga–N
Для вирішення актуальної проблеми отримання полікристалів нітриду галію пропонується використовувати апарат високого тиску тороїдального типу, для якого розроблена ростова комірка для перекристалізації GaN із розчину-розплаву Fe–Ga–N температурою метод градієнта. Метою роботи є дослідження тепловог...
保存先:
| 主要な著者: | , , |
|---|---|
| フォーマット: | Artigo |
| 言語: | Inglês |
| 出版事項: |
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
2025-03-01
|
| シリーズ: | Mechanics and Advanced Technologies |
| 主題: | |
| オンライン･アクセス: | https://journal.mmi.kpi.ua/article/view/322233 |
| タグ: |
タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!
|