Pseudovertical Schottky Diodes on Heteroepitaxially Grown Diamond

Substrates comprising heteroepitaxially grown single-crystalline diamond epilayers were used to fabricate pseudovertical Schottky diodes. These consisted of Ti/Pt/Au contacts on p<inline-formula><math xmlns="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><semantics><msup><mrow></mrow><mo>−</mo...

詳細記述

書誌詳細

主要な著者:	Jürgen Weippert, Philipp Reinke, Fouad Benkhelifa, Heiko Czap, Christian Giese, Lutz Kirste, Patrik Straňák, Jan Kustermann, Jan Engels, Vadim Lebedev
フォーマット:	Artigo
言語:	Inglês
出版事項:	MDPI AG 2022-11-01
シリーズ:	Crystals
主題:	diamond heteroepitaxy diodes power electronics CVD
オンライン･アクセス:	https://www.mdpi.com/2073-4352/12/11/1626
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