Pseudovertical Schottky Diodes on Heteroepitaxially Grown Diamond

Substrates comprising heteroepitaxially grown single-crystalline diamond epilayers were used to fabricate pseudovertical Schottky diodes. These consisted of Ti/Pt/Au contacts on p<inline-formula><math xmlns="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><semantics><msup><mrow></mrow><mo>−</mo...

Descripció completa

Dades bibliogràfiques

Autors principals:	Jürgen Weippert, Philipp Reinke, Fouad Benkhelifa, Heiko Czap, Christian Giese, Lutz Kirste, Patrik Straňák, Jan Kustermann, Jan Engels, Vadim Lebedev
Format:	Artigo
Idioma:	Inglês
Publicat:	MDPI AG 2022-11-01
Col·lecció:	Crystals
Matèries:	diamond heteroepitaxy diodes power electronics CVD
Accés en línia:	https://www.mdpi.com/2073-4352/12/11/1626
Etiquetes:	Afegir etiqueta Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!