Isotropic TFT Characteristics in the {100}-Oriented Grain-Boundary-Free Laser-Crystallized Si Thin Films
Isotropic TFT characteristics are realized in the {100}-oriented grain-boundary-free 60 nm thick Si film obtained by the continuous-wave laser lateral crystallization, where the grain- and sub-boundaries are defined as the crystallographic boundaries having misfit angles of <i>θ</i> > 15° and <i>θ</...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
MDPI AG
2023-01-01
|
| தொடர்: | Crystals |
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | https://www.mdpi.com/2073-4352/13/1/130 |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|