Rear earth doped epitaxial layers of GaAs properties
An analysis has been carried out of the properties of epitaxial GaAs layers obtained from gallium melts doped with rare‑earth elements (REEs). It has been established that each REE corresponds to a certain critical concentration in the melt, above which an inversion of the conductivity type of the e...
Сохранить в:
| Главные авторы: | , |
|---|---|
| Формат: | Artigo |
| Язык: | Inglês |
| Опубликовано: |
Politekhperiodika
2007-04-01
|
| Серии: | Технологія та конструювання в електронній апаратурі |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/874 |
| Метки: |
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|