Temperature Dependence Study of Electrical and Electro-Optical Performances of Midwave Infrared Ga-Free T2SL Barrier Photodetector

In this paper, we report on temperature dependence performances of a midwave infrared (MWIR) Ga-free InAs/InAsSb type-II superlattice (T2SL) barrier (XBn) photodetector grown by molecular beam epitaxy on n-type GaSb substrate. The T2SL structure, with a 3 µm thick active region, was processed in a m...

முழு விளக்கம்

நூற்பட்டியல் விவரங்கள்

முதன்மை ஆசிரியர்கள்:	Maxime Bouschet, Vignesh Arounassalame, Anthony Ramiandrasoa, Isabelle Ribet-Mohamed, Jean-Philippe Perez, Nicolas Péré-Laperne, Philippe Christol
வடிவம்:	Artigo
மொழி:	Inglês
வெளியிடப்பட்டது:	MDPI AG 2022-10-01
தொடர்:	Applied Sciences
பொருள்கள்:	Ga-free InAs/InAsSb type-II superlattice XBn detector midwave infrared dark current quantum efficiency
ஆன்லைன் அணுகல்:	https://www.mdpi.com/2076-3417/12/20/10358
குறிச்சொற்கள்:	குறிச்சொல்லை சேர்க்கவும் டாக்‌ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!