QR կոդ

Formation of luminescent defects in 4H-SiC upon ion irradiation and ns laser annealing

Abstract We present a novel approach for the optical activation of the negatively-charged silicon vacancy ( VSi −) center in ion irradiated silicon carbide (SiC) via ns-pulsed laser annealing in the 234–2180 mJ cm− 2 energy density range. The laser annealing process is investigated under 355 nm and...

Ամբողջական նկարագրություն

Պահպանված է:
Հիմնական հեղինակներ: Gabriele Zanelli, Igor Fontan, Greta Andrini, Emilio Corte, Elena Nieto Hernández, Veronica Varzi, Nour-Hanne Amine, Sofia Sturari, Elisa Redolfi, Valentino Rigato, Matteo Campostrini, Paolo Traina, Federico Picollo, Marco Genovese, Sviatoslav Ditalia Tchernij, Jacopo Forneris
Ձևաչափ: Artigo
Լեզու:Inglês
Հրապարակվել է: Nature Portfolio 2025-11-01
Շարք:Scientific Reports
Խորագրեր:
Single-photon sources
Ion implantation
Silicon carbide
Silicon vacancy
Photoluminescence
Formation yield
Առցանց հասանելիություն:https://doi.org/10.1038/s41598-025-23259-6
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!

Նմանատիպ նյութեր