Light-Emitting Diodes Based on InGaN/GaN Nanowires on Microsphere-Lithography-Patterned Si Substrates

The direct integration of epitaxial III-V and III-N heterostructures on Si substrates is a promising platform for the development of optoelectronic devices. Nanowires, due to their unique geometry, allow for the direct synthesis of semiconductor light-emitting diodes (LED) on crystalline lattice-mis...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Հիմնական հեղինակներ:	Liliia Dvoretckaia, Vladislav Gridchin, Alexey Mozharov, Alina Maksimova, Anna Dragunova, Ivan Melnichenko, Dmitry Mitin, Alexandr Vinogradov, Ivan Mukhin, Georgy Cirlin
Ձևաչափ:	Artigo
Լեզու:	Inglês
Հրապարակվել է:	MDPI AG 2022-06-01
Շարք:	Nanomaterials
Խորագրեր:	molecular beam epitaxy nanowires III-N Si microsphere lithography light-emitting devices
Առցանց հասանելիություն:	https://www.mdpi.com/2079-4991/12/12/1993
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!