কিউআর কোড

Controlled oxygen vacancy electrode reservoir for robust WO3-based memory devices

Abstract Oxide-based memristors are promising candidates as neuromorphic hardware in energy-efficient edge computing applications for the Internet of Things (IoT). However, achieving simultaneously optimized memristive and synaptic performance with low-temperature fabrication, compatible with comple...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
প্রধান লেখক: Ziyi Yuan, Babak Bakhit, Jiahao Lu, Yi-Xuan Liu, Atif Jan, Xinjuan Li, Abin Varghese, Bipin Rajendran, Caterina Ducati, Giuliana Di Martino, Markus Hellenbrand, Judith Louise MacManus-Driscoll
বিন্যাস: Artigo
ভাষা:Inglês
প্রকাশিত: Nature Portfolio 2026-04-01
মালা:Communications Materials
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://doi.org/10.1038/s43246-026-01143-8
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

অনুরূপ উপাদানগুলি