Radiation-sensitive field effect transistor response to gamma-ray irradiation
The influence of gate bias during gamma-ray irradiation on the threshold voltage shift of radiation sensitive p-channel MOSFETs determined on the basis of transfer characteristics in saturation has been investigated. It has been shown that for the gate bias during the irradiation of 5 V and 10 V...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
VINCA Institute of Nuclear Sciences
2011-01-01
|
| தொடர்: | Nuclear Technology and Radiation Protection |
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | http://www.doiserbia.nb.rs/img/doi/1451-3994/2011/1451-39941101025P.pdf |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|