Gallium Nitride Semiconductor Resonant Tunneling Transistor

Abstract Semiconductor devices based on quantum tunneling hold immense promise for developing multi‐valued logic, memory, and oscillators. Recently, two‐terminal gallium nitride (GaN) resonant tunneling diodes (RTDs) have been extensively studied due to their inherent negative differential resistanc...

Szczegółowa specyfikacja

Opis bibliograficzny

Główni autorzy:	Fang Liu, JunShuai Xue, GuanLin Wu, JinYuan Yuan, JiaJia Yao, RenJie Liu, Zhuang Guo, ZeHui Li, HaoRan Hu, WenBo Sun, Cheng Zhao, ChenKai Zhang, XinYan Liu, Kai Zhang, JinCheng Zhang, Yue Hao
Format:	Artigo
Język:	Inglês
Wydane:	Wiley 2026-03-01
Seria:	Advanced Science
Hasła przedmiotowe:	high electron mobility transistor monolithic integrated electronics negative differential resistance nitride semiconductor resonant tunneling diode
Dostęp online:	https://doi.org/10.1002/advs.202516334
Etykiety:	Dodaj etykietę Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!