Analytical Estimate of Open-Circuit Voltage of a Schottky-Barrier Solar Cell Under High Level Injection
The open-circuit voltage developed across a Schottky-Barrier (SB) solar cell was theoretically modeled to estimate it under high level injection conditions. An Open-circuit voltage (Voc) of 0.709 V was obtained for specific metal/n-Si SB solar cell. A substantial increase of 42.6 % in Voc was notice...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Sumy State University
2011-01-01
|
| Loạt: | Журнал нано- та електронної фізики |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | http://jnep.sumdu.edu.ua/download/numbers/2011/1,%20Part%205/articles/jnep_2011_V3_N1(Part5)_0979-0991.pdf |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|