QR رمز

Gate-Controlled Three-Terminal ZnO Nanoparticle Optoelectronic Synaptic Devices for In-Sensor Neuromorphic Memory Applications

This study reports a gate-tunable three-terminal optoelectronic synaptic device based on an Al/ZnO nanoparticles (NPs)/SiO<sub>2</sub>/Si structure for neuromorphic in-sensor memory applications. The ZnO NP film, fabricated via spin coating, exhibited strong UV-induced excitatory post-synaptic curre...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Dabin Jeon, Seung Hun Lee, Sung-Nam Lee
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: MDPI AG 2025-06-01
سلاسل:Nanomaterials
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://www.mdpi.com/2079-4991/15/12/908
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!