A split gate double-channel asymmetric SiC trench MOSFET for improved gate oxide reliability and dynamic characteristics

Abstract A split-gate double-channel asymmetric SiC trench MOSFET (SGDC-ATMOS) is proposed in this work. Besides a P+ shielded region covering the bottom of the trench, a charge balance effect caused by the split gate further reduces the maximum gate oxide electric field (E mox) around the trench, w...

முழு விளக்கம்

நூற்பட்டியல் விவரங்கள்

முதன்மை ஆசிரியர்கள்:	Feng Xu, Yonghao Dong, Fa Li, Fei Xie, Pengfei Guo, Yuxue Zhou, Yongfeng Liu, Xiangdong Meng, Rongxing Cao, Yuxiong Xue
வடிவம்:	Artigo
மொழி:	Inglês
வெளியிடப்பட்டது:	Nature Portfolio 2025-11-01
தொடர்:	Scientific Reports
பொருள்கள்:	Trench MOSFET Split gate Double channel Gate oxide Dynamic characteristics
ஆன்லைன் அணுகல்:	https://doi.org/10.1038/s41598-025-27655-w
குறிச்சொற்கள்:	குறிச்சொல்லை சேர்க்கவும் டாக்‌ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!