High-Performance Ultraviolet Photodetectors Based on Nanoporous GaN with a Ga₂O₃ Single-Crystal Layer

The utilization of a nanoporous (NP) GaN fabricated by electrochemical etching has been demonstrated to be effective in the fabrication of a high-performance ultraviolet (UV) photodetector (PD). However, the NP-GaN PD typically exhibits a low light-dark current ratio and slow light response speed. I...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Հիմնական հեղինակներ:	Junjie Wen, Yuankang Wang, Biao Zhang, Rongrong Chen, Hongyan Zhu, Xinyu Han, Hongdi Xiao
Ձևաչափ:	Artigo
Լեզու:	Inglês
Հրապարակվել է:	MDPI AG 2024-07-01
Շարք:	Nanomaterials
Խորագրեր:	nanoporous GaN UV photodetector DBR Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>
Առցանց հասանելիություն:	https://www.mdpi.com/2079-4991/14/13/1165
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!