Synthesis of Silicon-Germanium Film Alloys Based on Chemically Formed Porous Silicon Layers

Formation of silicon-germanium alloy films by electrochemically filling a porous silicon matrix with germanium and subjecting it to rapid thermal processing at 950 °C in argon flow is investigated. Low-porosity porous silicon layers are obtained using metal-assisted chemical etching of lightly-doped...

Πλήρης περιγραφή

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής

Κύριος συγγραφέας:	N. L. Grevtsov
Μορφή:	Artigo
Γλώσσα:	Russo
Έκδοση:	Educational institution «Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics» 2025-04-01
Σειρά:	Доклады Белорусского государственного университета информатики и радиоэлектроники
Θέματα:	semiconductors thin films porous silicon silicon-germanium alloy chemical etching metal-assisted etching electrochemical deposition fusible metals thermoelectric materials raman spectroscopy
Διαθέσιμο Online:	https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/4107
Ετικέτες:	Προσθήκη ετικέτας Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!