Multi-Field Characterisation of Material Removal Processes in Ultrasonic Magnetorheological Chemical Compound Polishing of GaN Wafers

Gallium nitride (GaN), as the core material of third-generation semiconductors, has important applications in high-temperature, high-frequency, and high-power devices, but its polishing process faces many challenges. In this work, a multifield synergistic material removal model is established to stu...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục

Những tác giả chính:	Huazhuo Liang, Wenjie Chen, Youzhi Fu, Wenjie Zhou, Ling Mo, Qi Wen, Dawei Liu, Junfeng He
Định dạng:	Artigo
Ngôn ngữ:	Inglês
Được phát hành:	MDPI AG 2025-04-01
Loạt:	Micromachines
Những chủ đề:	GaN ultrasonic magnetorheological chemical compound polishing material removal interactions
Truy cập trực tuyến:	https://www.mdpi.com/2072-666X/16/5/502
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!