Silicon-germanium for ULSI
The paper describes recent progress for the introduction of silicon-germanium, bipolar and field effect heterostructure transistors into mainstream integrated circuit application. Basic underlying concepts and device architectures which give rise to the desired performance advantages are described...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
National Institute of Telecommunications
2000-12-01
|
| தொடர்: | Journal of Telecommunications and Information Technology |
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | https://jtit.pl/jtit/article/view/33 |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|