Silicon-germanium for ULSI
The paper describes recent progress for the introduction of silicon-germanium, bipolar and field effect heterostructure transistors into mainstream integrated circuit application. Basic underlying concepts and device architectures which give rise to the desired performance advantages are described...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , |
|---|---|
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
National Institute of Telecommunications
2000-12-01
|
| سلاسل: | Journal of Telecommunications and Information Technology |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://jtit.pl/jtit/article/view/33 |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|