Enhanced Thermoelectric Properties of Cu3SbSe4 Compounds via Gallium Doping
In this study, the p-type Ga-doped Cu3Sb1−xGaxSe4 compounds were fabricated by melting, annealing, grinding, and spark plasma sintering (SPS). The transport properties of Ga-doped Cu3Sb1−xGaxSe4 compounds were investigated. As Ga content increased, the hole concentration of Cu3Sb1−xGaxSe4 compounds...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
MDPI AG
2017-10-01
|
| தொடர்: | Energies |
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | https://www.mdpi.com/1996-1073/10/10/1524 |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|