Miniature Switchable Millimeter-Wave BiCMOS Low-Noise Amplifier at 120/140 GHz Using an HBT Switch

A 120−140 GHz frequency-switchable, very compact low-noise amplifier (LNA) fabricated in a 0.13 µm SiGe:C BiCMOS technology is proposed. A single radio-frequency (RF) switch composed of three parallel hetero junction bipolar transistors (HBTs) in a common-collector configuration and a mul...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Julio Heredia, Miquel Ribó, Lluís Pradell, Selin Tolunay Wipf, Alexander Göritz, Matthias Wietstruck, Christian Wipf, Mehmet Kaynak
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	MDPI AG 2019-09-01
سلاسل:	Micromachines
الموضوعات:	low-noise amplifier (LNA) frequency-reconfigurable LNA multimodal circuit SiGe BiCMOS hetero junction bipolar transistor (HBT) RF switch
الوصول للمادة أونلاين:	https://www.mdpi.com/2072-666X/10/10/632
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!