Structural and electronic properties of manganese-doped Bi2Te3 epitaxial layers
We show that in manganese-doped topological insulator bismuth telluride layers, Mn atoms are incorporated predominantly as interstitials in the van der Waals gaps between the quintuple layers and not substitutionally on Bi sites within the quintuple layers. The structural properties of epitaxial lay...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , , , , , , , , , , , , , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
IOP Publishing
2015-01-01
|
| தொடர்: | New Journal of Physics |
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | https://doi.org/10.1088/1367-2630/17/1/013028 |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|