FORMATION OF POROUS SILICON IN THE PULSED GALVANOSTATIC MODE

The results of porous silicon formation by anodization of single crystalline silicon wafers in the pulsed galvanostatic mode are presented. Correlations between pore structure and anodization process parameters were determined. It was shown, that porous silicon layers formed in pulsed mode have more...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Hlavní autoři:	E. B. Chubenko, S. V. Redko, A. I. Sherstnyov, V. A. Petrovich, V. P. Bondarenko
Médium:	Artigo
Jazyk:	Russo
Vydáno:	Educational institution «Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics» 2019-06-01
Edice:	Доклады Белорусского государственного университета информатики и радиоэлектроники
Témata:	пористый кремний импульсное электрохимическое анодирование полупроводниковая пористая матрица
On-line přístup:	https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/484
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!