Sub-60-mV/decade Negative Capacitance FinFET With Sub-10-nm Hafnium-Based Ferroelectric Capacitor
The negative capacitance (NC) of ferroelectric materials has paved the way for achieving sub-60-mV/decade switching feature in complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) field-effect transistors, by simply inserting a ferroelectric thin layer in the gate stack. However, in order to utilize the f...
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| Principais autores: | , , , , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
IEEE
2017-01-01
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| Colecção: | IEEE Journal of the Electron Devices Society |
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://ieeexplore.ieee.org/document/7990244/ |
| Tags: |
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