On Temperature Dependency of Steep Subthreshold Slope in Dual-Independent-Gate FinFET
Dual-independent-gate silicon FinFET has demonstrated a steep subthreshold slope (SS) when a positive feedback induced by weak impact ionization is triggered. In this paper, we study the temperature dependency of the steep SS by characterizing the fabricated device from 100 to 380 K. The measured ch...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , , , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
IEEE
2015-01-01
|
| தொடர்: | IEEE Journal of the Electron Devices Society |
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | https://ieeexplore.ieee.org/document/7276989/ |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|