Epitaxial growth of α-(AlxGa1−x)2O3 by suboxide molecular-beam epitaxy at 1 µm/h
We report the use of suboxide molecular-beam epitaxy (S-MBE) to grow α-(AlxGa1−x)2O3 films on (110) sapphire substrates over the 0 < x < 0.95 range of aluminum content. In S-MBE, 99.98% of the gallium-containing molecular beam arrives at the substrate in a preoxidized form as gallium suboxide (Ga2O)...
Збережено в:
| Автори: | , , , , , , , , , , , |
|---|---|
| Формат: | Artigo |
| Мова: | Inglês |
| Опубліковано: |
AIP Publishing LLC
2024-04-01
|
| Серія: | APL Materials |
| Онлайн доступ: | http://dx.doi.org/10.1063/5.0170095 |
| Теги: |
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|