Epitaxial growth of α-(AlxGa1−x)2O3 by suboxide molecular-beam epitaxy at 1 µm/h
We report the use of suboxide molecular-beam epitaxy (S-MBE) to grow α-(AlxGa1−x)2O3 films on (110) sapphire substrates over the 0 < x < 0.95 range of aluminum content. In S-MBE, 99.98% of the gallium-containing molecular beam arrives at the substrate in a preoxidized form as gallium suboxide (Ga2O)...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակներ: | , , , , , , , , , , , |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Artigo |
| Լեզու: | Inglês |
| Հրապարակվել է: |
AIP Publishing LLC
2024-04-01
|
| Շարք: | APL Materials |
| Առցանց հասանելիություն: | http://dx.doi.org/10.1063/5.0170095 |
| Ցուցիչներ: |
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|