Plasmonic Field-Effect Transistors (TeraFETs) for 6G Communications

Ever increasing demands of data traffic makes the transition to 6G communications in the 300 GHz band inevitable. Short-channel field-effect transistors (FETs) have demonstrated excellent potential for detection and generation of terahertz (THz) and sub-THz radiation. Such transistors (often referre...

Szczegółowa specyfikacja

Opis bibliograficzny

Główni autorzy:	Michael Shur, Gregory Aizin, Taiichi Otsuji, Victor Ryzhii
Format:	Artigo
Język:	Inglês
Wydane:	MDPI AG 2021-11-01
Seria:	Sensors
Hasła przedmiotowe:	6G communications plasmonic crystals field-effect transistor arrays plasma wave instabilities terahertz detection terahertz generation
Dostęp online:	https://www.mdpi.com/1424-8220/21/23/7907
Etykiety:	Dodaj etykietę Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!