Double Node Upset Immune RHBD-14T SRAM Cell for Space and Satellite Applications
Deep sub-micron memory devices play a crucial role in space electronic applications due to their susceptibility to single-event upset and double-node upset types of soft errors. When a charged particle from space hit a scaled memory circuit, the critical charge of sensitive storage nodes drops, and...
Na minha lista:
| Principais autores: | , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
IEEE
2023-01-01
|
| coleção: | IEEE Access |
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://ieeexplore.ieee.org/document/10235989/ |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|