Código QR (código de barras bidimensional)

Temperature-Dependent Carrier Transport in GaN Nanowire Wrap-Gate Transistor

For the creation of next-generation nanoscale devices, it is crucial to comprehend the carrier transport mechanisms in nanowires. Here, we examine how temperature affects the properties of GaN nanowire wrap-gate transistors (WGTs), which are made via a top-down technique. The predicted conductance i...

תיאור מלא

שמור ב:
Principais autores: Siva Pratap Reddy Mallem, Peddathimula Puneetha, Yeojin Choi, Seung Mun Baek, Sung Jin An, Ki-Sik Im
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: MDPI AG 2023-05-01
סדרה:Nanomaterials
נושאים:
wrap-gate transistor
nanowire
GaN
surface/core
carrier scattering
גישה מקוונת:https://www.mdpi.com/2079-4991/13/10/1629
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים