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Temperature-Dependent Carrier Transport in GaN Nanowire Wrap-Gate Transistor

For the creation of next-generation nanoscale devices, it is crucial to comprehend the carrier transport mechanisms in nanowires. Here, we examine how temperature affects the properties of GaN nanowire wrap-gate transistors (WGTs), which are made via a top-down technique. The predicted conductance i...

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मुख्य लेखकों: Siva Pratap Reddy Mallem, Peddathimula Puneetha, Yeojin Choi, Seung Mun Baek, Sung Jin An, Ki-Sik Im
स्वरूप: Artigo
भाषा:Inglês
प्रकाशित: MDPI AG 2023-05-01
श्रृंखला:Nanomaterials
विषय:
wrap-gate transistor
nanowire
GaN
surface/core
carrier scattering
ऑनलाइन पहुंच:https://www.mdpi.com/2079-4991/13/10/1629
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