355 nm Nanosecond Ultraviolet Pulsed Laser Annealing Effects on Amorphous In-Ga-ZnO Thin Film Transistors

Bottom-gate thin-film transistors (TFTs) with n-type amorphous indium-gallium-zinc oxide (a-IGZO) active channels and indium-tin oxide (ITO) source/drain electrodes were fabricated. Then, an ultraviolet (UV) nanosecond pulsed laser with a wavelength of 355 nm was scanned to locally anneal the active...

Szczegółowa specyfikacja

Opis bibliograficzny

Główni autorzy:	Sang Yeon Park, Younggon Choi, Yong Hyeok Seo, Hojun Kim, Dong Hyun Lee, Phuoc Loc Truong, Yongmin Jeon, Hocheon Yoo, Sang Jik Kwon, Daeho Lee, Eou-Sik Cho
Format:	Artigo
Język:	Inglês
Wydane:	MDPI AG 2024-01-01
Seria:	Micromachines
Hasła przedmiotowe:	UV pulsed laser annealing a-IGZO TFT ITO/IGZO energy band structure selective annealing
Dostęp online:	https://www.mdpi.com/2072-666X/15/1/103
Etykiety:	Dodaj etykietę Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!