N-Type Printed Organic Source-Gated Transistors with High Intrinsic Gain
Source-gated transistors (SGTs) are emerging devices enabling high-gain single-stage amplifiers with low complexity. To date, the p-type printed organic SGT (OSGT) has been developed and showed high gain and low power consumption. However, complementary OSGT circuits remained impossible because of t...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI AG
2022-12-01
|
| Loạt: | Nanomaterials |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://www.mdpi.com/2079-4991/12/24/4441 |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|