Comprehensive Study and Optimization of Implementing p-NiO in β-Ga₂O₃ Based Diodes via TCAD Simulation

In this paper, we carried out a comprehensive study and optimization of implementing p-NiO in the β-Ga₂O₃ based diodes, including Schottky barrier diode (SBD) with p-NiO guard ring (GR), p-NiO/β-Ga₂O₃ heterojunction (HJ) barrier Schottky (HJBS) diode, and...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục

Những tác giả chính:	Hong Zhou, Shifan Zeng, Jincheng Zhang, Zhihong Liu, Qian Feng, Shengrui Xu, Jinfeng Zhang, Yue Hao
Định dạng:	Artigo
Ngôn ngữ:	Inglês
Được phát hành:	MDPI AG 2021-09-01
Loạt:	Crystals
Những chủ đề:	Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> NiO diode simulation Schottky diodes JBS
Truy cập trực tuyến:	https://www.mdpi.com/2073-4352/11/10/1186
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!