কিউআর কোড

Annealing Stability of NiO/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Vertical Heterojunction Rectifiers

The stability of vertical geometry NiO/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> rectifiers during two types of annealing were examined, namely (1) the annealing of NiO only, prior to the deposition of the Ni/Au metal anode stack, and (2) the annealing of the completed device. The devices were annealed in oxygen...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
প্রধান লেখক: Jian-Sian Li, Hsiao-Hsuan Wan, Chao-Ching Chiang, Fan Ren, Stephen J. Pearton
বিন্যাস: Artigo
ভাষা:Inglês
প্রকাশিত: MDPI AG 2023-07-01
মালা:Crystals
বিষয়গুলি:
NiO
Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> rectifiers
high breakdown
annealing
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://www.mdpi.com/2073-4352/13/8/1174
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

অনুরূপ উপাদানগুলি