Characteristics of Gate-All-Around Junctionless Polysilicon Nanowire Transistors With Twin 20-nm Gates
A high performance gate-all-around (GAA) junctionless (JL) polycrystalline silicon nanowire (poly-Si NW) transistor with channel width of 12 nm, channel thickness of 45 nm, and gate length of 20 nm has been successfully demonstrated, based on a simplified double sidewall spacer process. Without suff...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակներ: | , , |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Artigo |
| Լեզու: | Inglês |
| Հրապարակվել է: |
IEEE
2015-01-01
|
| Շարք: | IEEE Journal of the Electron Devices Society |
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | https://ieeexplore.ieee.org/document/7118129/ |
| Ցուցիչներ: |
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|