Chemically Sensitive Photoluminescence of InGaN/GaN Nanowire Heterostructure Arrays
III-nitride semiconductors (AlGaN, GaN and InGaN) have received considerable attention in various fields ranging from high-frequency and high-temperature electronics [1] to LED lighting technologies [2]. [...]
Zapisane w:
| Główni autorzy: | , , , |
|---|---|
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
MDPI AG
2019-06-01
|
| Seria: | Proceedings |
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://www.mdpi.com/2504-3900/14/1/43 |
| Etykiety: |
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|