Enhanced thermoelectric performance of SnSe by controlled vacancy population

Abstract The thermoelectric performance of SnSe strongly depends on its low-energy electron band structure that provides high density of states in a narrow energy window due to the multi-valley valence band maximum (VBM). Angle-resolved photoemission spectroscopy measurements, in conjunction with fi...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Ji-Eun Lee, Kyoo Kim, Van Quang Nguyen, Jinwoong Hwang, Jonathan D. Denlinger, Byung Il Min, Sunglae Cho, Hyejin Ryu, Choongyu Hwang, Sung-Kwan Mo
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	SpringerOpen 2023-07-01
سلاسل:	Nano Convergence
الموضوعات:	Thermoelectric Defect engineering Electron band structure Vacancy SnSe
الوصول للمادة أونلاين:	https://doi.org/10.1186/s40580-023-00381-7
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!