কিউআর কোড

Photoluminescence and Electrical Properties of n-Ce-Doped ZnO Nanoleaf/p-Diamond Heterojunction

The n-type Ce:ZnO (NL) grown using a hydrothermal method was deposited on a p-type boron-doped nanoleaf diamond (BDD) film to fabricate an n-Ce:ZnO NL/p-BDD heterojunction. It shows a significant enhancement in photoluminescence (PL) intensity and a more pronounced blue shift of the UV emission peak...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
প্রধান লেখক: Qinglin Wang, Yu Yao, Xianhe Sang, Liangrui Zou, Shunhao Ge, Xueting Wang, Dong Zhang, Qingru Wang, Huawei Zhou, Jianchao Fan, Dandan Sang
বিন্যাস: Artigo
ভাষা:Inglês
প্রকাশিত: MDPI AG 2022-10-01
মালা:Nanomaterials
বিষয়গুলি:
Ce-doped ZnO NLs
boron-doped diamond
heterojunction
photoluminescence
electrical transport behavior
high temperature
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://www.mdpi.com/2079-4991/12/21/3773
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

অনুরূপ উপাদানগুলি