Código QR (código de barras bidimensional)

Microwave performance of all MOCVD-grown AlScN/GaN MIS-HEMTs on semi-insulating GaN substrates

We report on the design, fabrication, and characterization of AlScN/GaN metal–insulator–semiconductor high electron mobility transistors on semi-insulating GaN substrates. The layer is grown by MOCVD using (MCp)2ScCl precursor as the Sc source. Hall measurement shows a sheet carrier density of 1.12...

תיאור מלא

שמור ב:
Principais autores: Can Cao, Vijay Gopal Thirupakuzi Vangipuram, Abdul Mukit, Motahareh Helli, Jinwoo Hwang, Hongping Zhao, Wu Lu
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: AIP Publishing LLC 2026-07-01
סדרה:APL Electronic Devices
גישה מקוונת:https://pubs.aip.org/aip/aed/article-pdf/doi/10.1063/5.0315706/21063040/036102_1_5.0315706.pdf
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים