An Improved Method for InP HEMT Noise-Parameter Determination Based on 50-Ω Noise Measurements

In this paper, we propose an improved method for extracting the four noise parameters of InP HEMT devices based on a 50-<inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">$\Omega $ </tex-math></inline-formula> noise measurement system. The noise equivalent circuit and noise correlation matrix technique is...

Descripció completa

Dades bibliogràfiques

Autors principals:	Yuanting Lyu, Zhichun Li, Ao Zhang, Jianjun Gao
Format:	Artigo
Idioma:	Inglês
Publicat:	IEEE 2024-01-01
Col·lecció:	IEEE Journal of the Electron Devices Society
Matèries:	Device modeling HEMTs correlation noise matrix noise parameters noise measurement
Accés en línia:	https://ieeexplore.ieee.org/document/10418161/
Etiquetes:	Afegir etiqueta Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!