An Improved Method for InP HEMT Noise-Parameter Determination Based on 50-Ω Noise Measurements

In this paper, we propose an improved method for extracting the four noise parameters of InP HEMT devices based on a 50-<inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">$\Omega $ </tex-math></inline-formula> noise measurement system. The noise equivalent circuit and noise correlation matrix technique is...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Hlavní autoři:	Yuanting Lyu, Zhichun Li, Ao Zhang, Jianjun Gao
Médium:	Artigo
Jazyk:	Inglês
Vydáno:	IEEE 2024-01-01
Edice:	IEEE Journal of the Electron Devices Society
Témata:	Device modeling HEMTs correlation noise matrix noise parameters noise measurement
On-line přístup:	https://ieeexplore.ieee.org/document/10418161/
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!